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Sensori di silicio amorfo Detettore a pannello piatto leggero adatto per il rilevamento ad alta energia 15MV

139 Microni Silicio amorfo A Si Per vari campi come la prova non distruttiva DR

MOQ: 1

Materiale	sensore di silicio amorfo
Temperatura	10-35°C (operazione);-10~50°C (mantenimento)
umidità	30-70% RH (non condensante)
Nome del prodotto	DR Detettore digitale a pannello piatto
Tipo di recettore	Un-si

Sensore a base di silicio amorfo per l'imaging dentale e l'ispezione industriale

100 micron di silicio amorfo A Si per vari campi come la prova non distruttiva DR

Obiettivo del rame di tensione di metropolitana di Crystal Orientation Indicator X Ray Instrument 30kvp con l'anodo

MOQ: 1pcs

Alimentazione in ingresso entrata	、 0.3KW del、 50HZ di monofase AC220V
Marca	HUATEC
Tensione del tubo	30KVP, commutatore si è chiuso sotto tensione completa
Corrente della metropolitana	0~5mA, regolabile continuo
Visualizzazione di Digital	θ: 、 minuscolo del、 di grado in secondo luogo; Una lettura minima 10 del ″

75 micron Silicio amorfo A Si Per vari campi A Si DR Prova non distruttiva

139 Microni Silicio amorfo A Si Per vari campi come la prova non distruttiva DR

Semiconduttore X Ray Crystal Orientation Indicator Instrument di Sapphire Piezoelectric Crystal Optical Crystal

Monofase X Ray Instrument Crystal Orientation Indicator

Obiettivo del rame di tensione di metropolitana di Crystal Orientation Indicator X Ray Instrument 30kvp con l'anodo

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Monofase X Ray Instrument Crystal Orientation Indicator

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