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139 Microni Silicio amorfo A Si Per vari campi come la prova non distruttiva DR

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MOQ
139 Microni Silicio amorfo A Si Per vari campi come la prova non distruttiva DR
Caratteristiche Galleria Descrizione di prodotto Richieda una citazione
Caratteristiche
Specificazioni
Materiale: sensore di silicio amorfo
Temperatura: 10-35°C (operazione);-10~50°C (mantenimento)
umidità: 30-70% RH (non condensante)
Nome del prodotto: DR Detettore digitale a pannello piatto
Tipo di recettore: Un-si
Scintillatore: GOS / CsI:TI
Area attiva: 350 x 430 mm
Pitch dei pixel: 139 μm
Evidenziare:

139 micron A Si

,

Silicio amorfo A Si

,

DR A Si

Informazioni di base
Luogo di origine: Cina
Marca: HUATEC
Certificazione: CE ISO GOST
Numero di modello: H3543HWC-EG
Termini di pagamento e spedizione
Imballaggi particolari: Esporta pacchetto di cartone standard
Descrizione di prodotto

139 micron Silicio amorfo A-Si Per vari campi come DR e test non distruttivi

 

H3543HWC-EG è un rilevatore wireless leggero basato su silicio amorfo ((a-Si), adatto a vari campi come la DR e le prove non distruttive.

 

Sensore
Tipo di recettore a-Si

Scintillatore Gos / CsI:TI

Area attiva 350 x 430 mm

Risoluzione 2560 x 3072

Pixel Pitch 139 μm

 

Fornitore di energia e batteria

Adattatore in corrente alternata 100-240V,50-60Hz

Adapter fuori DC 24V,2.7A

Dissipazione di potenza < 20 W

Tempo di attesa 6,5 ore

Tempo di ricarica 4,5 ore

 

Qualità delle immagini
Risoluzione limite 5 LP/mm

Intervallo di energia 40-160 KV

Intervallo dinamico ≥ 76 dB

Sensibilità ≥ 0,36 LSB/nGy

Ghos < 1% 1° quadro

DQE 38% @(1 LP/mm)

21% @ ((2 LP/mm)

MTF 75% @(1 LP/mm)

48% @(2 LP/mm)

28% @ ((3 LP/mm)

 

 

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