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100 micron di silicio amorfo A Si per vari campi come la prova non distruttiva DR

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MOQ
100 micron di silicio amorfo A Si per vari campi come la prova non distruttiva DR
Caratteristiche Galleria Descrizione di prodotto Richieda una citazione
Caratteristiche
Specificazioni
Materiale: sensore di silicio amorfo
Temperatura: 10-35°C (operazione);-10~50°C (mantenimento)
umidità: 30-70% RH (non condensante)
Nome del prodotto: DR Detettore digitale a pannello piatto
Tipo di recettore: Un-si
Scintillatore: GOS / CsI:TI
Area attiva: 300 x 254 mm
Pitch dei pixel: 100 μm
Risoluzione: 2560 x 3072
Evidenziare:

100 micron di silicio amorfo A-Si

,

DR Silicio amorfo A-Si

,

Prova non distruttiva del silicio amorfo A-Si

Informazioni di base
Luogo di origine: Cina
Marca: HUATEC
Certificazione: CE ISO GOST
Numero di modello: H3025HDA-AG
Termini di pagamento e spedizione
Imballaggi particolari: Esporta pacchetto di cartone standard
Descrizione di prodotto

100 micron di silicio amorfo A-Si per vari campi come DR e test non distruttivi

 

Il 3025DA-AG è un rilevatore di peso leggero basato su silicio amorfo ((a-Si), adatto a prove non distruttive.

 

Sensore
Tipo di recettore a-Si

Scintillatore Gos / CsI:TI

Area attiva 300 x 254 mm

Risoluzione 2560 x 3072

Pixel Pitch 100 μm

 

Fornitore di energia e batteria

Adattatore in corrente alternata 100-240V,50-60Hz

Adapter fuori DC 24V,2.7A

Dissipazione di potenza < 20 W

 

Qualità delle immagini
Risoluzione di limitazione 3,5 LP/mm

Intervallo di energia 40-160 KV

Intervallo dinamico ≥ 84 dB

Sensibilità ≥ 0,54 LSB/nGy

Ghos < 1% 1° quadro

DQE 42% @(1 LP/mm)

28% @ ((2 LP/mm)

MTF 68% @(1 LP/mm)

38% @(2 LP/mm)

20% @ ((3 LP/mm)

 

Apparecchi elettrici e interfaccia
Conversione A/D 16 bit

Interfaccia dati Gigabit Ethernet

Ritmo di immagine 1x1 5fps/2x2 15fps/3x3 25fps

Controllo dell'esposizione Free Run/SYNC Acquire

 

Meccanica
Dimensione 384 × 460 × 14,8 mm
Peso 3,4 kg

Materiale Leghe di alluminio e magnesio

Pannello anteriore in fibra di carbonio

 

Ambientale

Temperatura 10-35°C (operazione); -10-50°C (mantenimento)

Umidità 30-70% RH (non condensante)

Protezione contro l'ingresso IP51

 

 

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