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75 micron Silicio amorfo A Si Per vari campi A Si DR Prova non distruttiva

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MOQ
75 micron Silicio amorfo A Si Per vari campi A Si DR Prova non distruttiva
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Caratteristiche
Specificazioni
Materiale: sensore di silicio amorfo
Temperatura: 10-35°C (operazione);-10~50°C (mantenimento)
umidità: 30-70% RH (non condensante)
Nome del prodotto: DR Detettore digitale a pannello piatto
Tipo di recettore: Un-si
Scintillatore: CSI:TI
Area attiva: 230.4 x 172 mm
Pitch dei pixel: 75μm
Risoluzione: 3072x 2304
Evidenziare:

75 micron A-Si DR

,

Silicio amorfo A-Si DR

,

Diversi campi A-Si DR

Informazioni di base
Luogo di origine: Cina
Marca: HUATEC
Certificazione: CE ISO GOST
Numero di modello: H2317HSC-CG
Termini di pagamento e spedizione
Imballaggi particolari: Esporta pacchetto di cartone standard
Descrizione di prodotto

75 micron Silicio amorfo A-Si per vari campi A-Si DR e test non distruttivi

 

H2317HSC-CG È un rilevatore a pannello piatto leggero basato su sensori di silicio amorfo, adatto per il rilevamento a raggi X

 

Sensore
Tipo di recettore a-Si

Scintillatore CsI:TI

Area attiva 230,4 x 172 mm

Risoluzione 3072x 2304

Pixel Pitch 75 μm

 

Fornitore di energia e batteria

Adattatore in corrente alternata 100-240V,50-60Hz

Adapter fuori DC 24V,2.7A

Dissipazione di potenza < 20 W

 

Qualità delle immagini
Risoluzione di limitazione 5,9 LP/mm

Intervallo di energia 40-150 KV

Intervallo dinamico ≥ 76 dB

Sensibilità ≥ 0,54 LSB/nGy

Ghos < 1% 1° quadro

 

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